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薄膜硅有哪些不同的应用?

薄膜硅沉积有几十种不同的方法,但通常可以分为三类。有化学反应沉积过程,如化学气相沉积、分子束外延和电沉积。物理气相沉积是单独发生物理反应的沉积过程。还有同时使用物理和化学手段的混合工艺,包括溅射沉积和气体或辉光放电方法。
物理气相沉积与所使用的各种溅射技术有关,涉及从源中蒸发材料并将其以薄膜硅层的形式转移到目标基板上。源材料在真空室中蒸发,使颗粒均匀分散并覆盖在真空室中的所有表面。物理气相沉积使用的两种方法是电子束或电子束来加热和蒸发源材料,或使用高电流进行电阻蒸发。溅射沉积使用加载惰性但电离气体(如氩气)的部分真空,带电离子被吸引到所使用的目标材料上,这些目标材料会破坏原子,然后作为薄膜硅沉降到基板上。有许多不同类型的溅射,包括反应离子、磁控管和簇束溅射,这些都是源材料离子轰击方式的变化。
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薄膜器件技术广泛应用于光学器件和半导体。
化学气相沉积是用于生产薄膜硅的最常见工艺之一,并且比物理方法更精确。反应器充满了各种气体,这些气体相互作用产生固体副产品,这些副产物在反应器的所有表面上凝结。以这种方式生产的薄膜硅可以具有极其均匀的特性和非常高的纯度,这使得该方法可用于半导体工业以及生产光学镀膜。缺点是这些类型的沉积方法可能相对较慢,通常需要在高达2,012华氏度(1,100摄氏度)的温度下运行的反应器室,并且使用非常有毒的气体,例如硅烷。
在制造薄膜硅时,必须考虑数十种不同的沉积工艺中的每一种,因为每种工艺都有其独特的优势、成本和风险。早期的反应离子室悬挂在实验室地板上以隔离它们,因为它们必须充电到50,000伏特,即使它们只是坐在附近的混凝土上,也可能使计算机设备短路。从这些反应堆延伸到制造车间下方基岩的十二英寸直径铜管被实验室工作人员俗称为“耶稣棒”,指的是无论谁触摸它都会与耶稣交谈,因为它会杀死他或她。染料敏化太阳能电池等产品提供了一种新的、危险性较低、成本更低的薄膜制造方法,因为它们不需要精确的硅半导体衬底,并且可以在大约 248 华氏度(120 摄氏度)的低得多的温度下生产。

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